InGaAs相关论文
高性能大规模小像元短波红外InGaAs焦平面探测器是新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展需要的核心......
随着太阳能应用的大规模普及,太阳能电池板的产能不断提高。缺陷检测技术是保证产品质量的关键。但现有的缺陷检测技术只能在暗室......
提出一种集成线性渐变滤光片和InGaAs焦平面的微型近红外光谱模组.作为核心分光元件,线性渐变滤光片被紧密耦合在光敏芯片表面.相......
利用分子束外延方法生长的InP/InGaAs/InP双异质结材料，通过台面成型、有效钝化和欧姆接触电极制备等工艺，制作了512×1元的背照射In......
从理论上分析了线阵InGaAs光电探测器阵列在采用光谱成像技术的光纤光栅传感解调系统中的的成像原理,在此基础上,对日本滨淞光子公......
Strong Influence of Temperature and Vacuum on the Photoluminescence of In0.3Ga0.7As Buried and Surfa
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采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体......
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随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半......
当传统的天文导航系统应用于大气层内的载体时,在白天条件下极易受到强天空背景辐射影响而饱和,失去星体探测能力,严重影响了天文......
基于调频连续波(FM/cw)测距原理的激光成像雷达对信号处理电路的带宽和速度要求较低，在系统高集成度、小型化和低功耗上具有明显优......
近年来，随着量子通信的不断发展，高速单光子探测技术和单光子探测芯片逐渐成为研究热点。InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管(SPAD)和In......
GaAs基纳米线材料在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景,近年来一直是国内外研究的热点。由于其高迁移率,高漂移......
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
分析了光电探测器偏振响应产生的原因,定义了探测器偏振敏感度的公式,制备了测试用InGaAs探测器。为了测试器件的偏振敏感度,搭建......
器件的调制传递函数（MTF）表征了光电成像器件对空间频率的对比度传递特性，可以全面地评价其成像性能。随着器件的发展，用MTF来评价器件......
截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7......
采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探......
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用.近十年来,中国科......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构......
采用反应离子刻蚀技术，设计、制备了一种角反射器耦合的１０单元ＩｎＧａＡｓ应变层单量子阱镇相列阵激光器。在高达４×Ｉｔｈ的工作电流范围内，获得了主单瓣......
本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和......
本论文“MBE生长短周期InGaAs/GaAs超晶格VECSELs有源区的结构和退火研究”的内容包括：MBE系统原理与外延材料的表征方法、应变补偿......
随着航天应用高速InGaAs探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出,本文选择温度应力与光应力为加速应力,通过爱林模型与恒定应力加......
采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰......
在稳态条件下金属 -半导体 -金属 (MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解 .在这种条件下......
利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区.用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/......
应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W.这些研究结果为下一步更长线列焦平面组......
研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦......
报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面......
为了研究延伸波长In0.8Ga0.2As PIN短波红外探测器的温度响应光电特性,采用闭管扩散的平面型器件工艺,在金属有机化学气相外延(MOC......
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结......
介绍了中国计量科学研究院研制的波长1.6 μm、测温范围为156～1 085℃的InGaAs近红外辐射温度计的改进方案和环境温度对其稳定性的......
对1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计.对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变In......
为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料......
In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87μm(GaAs)～3.5μm(InAs)范围内变化......
为了改善器件的响应均匀性,通过优化台面制作与SiNx钝化工艺制备了高均匀性256元线列正照射InGaAs探测器,实现了该探测器与读出电......
为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极......
报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极......
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其......
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展.针对透射式半......
根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态......
介绍近红外像增强器。重点介绍ＩｎＧａＡｓ光电阴极的性能，特怀以及像增强器的性能参数。......
从理论上分析了线阵InGaAs光电探测器阵列在采用光谱成像技术的光纤光栅传感解调系统中的的成像原理,在此基础上,对日本滨淞光子公......
